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【中玻網(wǎng)】Low-E玻璃又稱低輻射鍍膜玻璃,是在玻璃表面鍍上以銀為基礎的若干層金屬或其化合物薄膜,這些膜層具有對可見光高透過及對中遠紅外線高反射的特性,具有良好的節(jié)能效果和光學性能。真空磁控濺射法(PVD)也稱離線法,可以實現(xiàn)復雜膜系Low-E玻璃的大規(guī)模量產(chǎn),成為近年來Low-E玻璃的主流生產(chǎn)工藝。
相比傳統(tǒng)的熱反射鍍膜玻璃,Low-E玻璃的鍍膜層數(shù)多也更薄,特別是近年來雙銀/三銀Low-E玻璃的推廣,有的產(chǎn)品需要沉積多達20多層不同材料的薄膜,這就對每層薄膜的質(zhì)量和均勻性提出了非?量痰囊。如果不能很好的控制單層薄膜的質(zhì)量和均勻性,這么多層薄膜累加后的顏色、透光率等光學不均勻性就會非常明顯。因此對現(xiàn)有的PVD鍍膜工藝來說,提高鍍膜的質(zhì)量和均勻性是一個非常關(guān)鍵的課題。
。惫に嚉怏w布氣均勻性
作為膜層均勻性控制的主要手段之一,工藝氣體布氣均勻性非常重要。我們采用如下二種方法確保工藝氣體沿玻璃板寬方向分布的均勻性:
。保┎細夤苈贩譃橹鞴芎洼o管,主管由3個質(zhì)量流量計分別控制Ar、O2、N2氣的供氣量,輔管根據(jù)陰較寬度分為3~7段,每段由一個質(zhì)量流量計單獨控制工藝氣體流量,見圖1。
2)主管和每段輔管均采用二元布氣方式(見圖2),確保每個噴嘴的流導一致。
。碴庉^磁場強度一致性
根據(jù)磁控濺射的原理,磁場強度越大,其對電子的束縛能力越強,相應地,該處的氣體離化程度就越高,濺射速率也就越大。準確的調(diào)整陰較磁鐵的磁場強度在寬度方向的一致性,可以有效地控制濺射速率的橫向一致性,進而控制薄膜沿寬度方向的均勻性。
陰較磁場強度的均勻性的控制手段包括以下2個:
。保榇_保磁場的強度一致性,需要對所用磁鐵的磁場強度進行挑選,盡量選擇磁場強度一致的磁鐵。陰較裝配完畢后,采用高斯計沿陰較橫向?qū)Υ艌鰪姸冗M行掃描測量,繪出磁場強度曲線,可采用調(diào)整磁鐵到靶材距離的方法微調(diào)該處磁場強度,確保磁場沿陰較橫向的一致性。
。玻╆庉^使用過程中應嚴格控制冷卻水溫,并及時更換靶材,防止永磁體過熱,因其過熱不僅會導致磁場強度衰減,也會造成磁場不均現(xiàn)象。
3鍍膜室真空度、溫度、干燥度控制
。常焙愣ǖ恼婵斩
。保└鶕(jù)工藝氣體流量,對分子泵抽速、數(shù)量配置和安裝位置進行合理配置。
。玻┩晟瓶煽康那皇颐芊,所有的動密封如傳動站、翻版閥等處均采用磁流體密封,蓋板和腔室之間采用壓差密封,即對兩道密封圈之間的空間抽真空,從而提高大型密封面的密封效果。
。常┻M出片過渡室內(nèi)部各布置2~3套阻流器,減少門閥開啟閉合對鍍膜室內(nèi)真空度的擾動。
。常矞囟瓤刂
陰較及鍍膜室腔體通軟化水冷卻,并對進出水的溫度和流量進行監(jiān)控。
。常掣稍锒瓤刂
。保玻璃清洗完畢后應確保干燥充分。
。玻┥a(chǎn)線旁應布置干燥壓縮空氣(CDA)儲氣罐,在空氣濕度大的時候,進出片室在充氣時可選擇接通CDA,以減少進入腔室內(nèi)的水蒸氣分子。
。常┰阱兡な胰肟谔幵O置低溫冷阱,用于捕獲進入腔室內(nèi)的水蒸氣分子。
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